| Tin-vacancy complex in germanium VP Markevich, AR Peaker, B Hamilton, VV Litvinov, YM Pokotilo, ... Journal of Applied Physics 109 (8), 2011 | 42 | 2011 |
| Водородсодержащие доноры в кремнии—центры с отрицательной эффективной корреляционной энергией ЮМ Покотило, АН Петух, ВВ Литвинов, ВГ Цвырко Физика и техника полупроводников 39 (7), 802-805, 2005 | 11 | 2005 |
| Donor center formation in silicon implanted with hydrogen ions YM Pokotilo, AN Petukh, VV Litvinov Technical physics letters 30, 962-963, 2004 | 9 | 2004 |
| Формирование водородсодержащих доноров в эпитаксиальном кремнии, имплантированном протонами ЮМ Покотило, АН Петух, ВВ Литвинов, ВГ Цвырко Неорганические материалы 45 (11), 1285-1290, 2009 | 8 | 2009 |
| Формирование доноров в кремнии, имплантированном ионами водорода ЮМ Покотило, АН Петух, ВВ Литвинов Письма в журнал технической физики 30 (22), 70-74, 2004 | 8 | 2004 |
| Модель рекомбинации неосновных носителей заряда а германии n-типа, облученном протонами с энергией 660 МэВ ЮМ Покотило, ВД Ткачев, ВИ Уренев, ВЮ Явид Физика и техника полупроводников 13 (9), 1775-1780, 1979 | 8 | 1979 |
| Electrically active hydrogen-implantation-induced defects in Ge crystals and SiGe alloys VP Markevich, L Dobaczewski, KB Nielsen, VV Litvinov, AN Petukh, ... Thin Solid Films 517 (1), 419-421, 2008 | 6 | 2008 |
| Hydrogen-related donors in silicon as the centers with negative effective correlative energy YM Pokotilo, AN Petukh, VV Litvinov, VG Tsvyrko Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 39 (7), 802-805, 2005 | 6 | 2005 |
| Макроскопическое сечение образования и линейные размеры областей скопления дефектов в n-Si, облученном быстрыми нейтронами реактора ЛИ Мурин, ЮМ Покотило, ВЮ Явид Физика и техника полупроводников 18 (11), 2066-2069, 1984 | 6 | 1984 |
| Hydrogen-containing donors in silicon: Centers with negative effective correlation energy YM Pokotilo, AN Petukh, VV Litvinov, VG Tsvyrko Semiconductors 39, 768-771, 2005 | 5 | 2005 |
| Новые водородные доноры в германии ЮМ Покотило, АН Петух, ВВ Литвинов Письма в Журнал технической физики 29 (19), 26-30, 2003 | 5 | 2003 |
| Эффективное время жизни в германии n-типа, облученном протонами с энергией 660 МэВ ЮМ Покотило, ВД Ткачев, ВЮ Явид Физика и техника полупроводников 14 (11), 2223-2227, 1980 | 4 | 1980 |
| Formation of hydrogen donors in proton-implanted epitaxial silicon YM Pokotilo, AN Petukh, VV Litvinov, VG Tsvyrko Inorganic Materials 45, 1205-1209, 2009 | 3 | 2009 |
| Локальные колебательные моды комплекса кислород–вакансия в германии ВВ Литвинов, ЛИ Мурин, ДЛ Линдстром, ВП Маркевич, АН Петух Физика и техника полупроводников 36 (6), 658-661, 2002 | 3 | 2002 |
| Transformation of Structural Defects and The Hydrogen State Upon Heat Treatment of Hydrogenated Silicon YM Pokotilo, AM Petuh, OY Smirnova, GF Stelmakh, VP Markevich, ... Journal of Applied Spectroscopy 86, 822-824, 2019 | 2 | 2019 |
| Formation of donors in hydrogen ion implanted silicon YM Pokotilo, AN Petukh, VV Litvinov Pis' ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki 30 (22), 70-74, 2004 | 2 | 2004 |
| New hydrogen donors in germanium YM Pokotilo, AN Petukh, VV Litvinov Technical Physics Letters 29, 804-805, 2003 | 2 | 2003 |
| Радиационное дефектообразование в детекторном кремнии, облученном быстрыми нейтронами АС Камышан, ВВ Литвинов, ЕВ Парахневич, АН Петух, ЮМ Покотило, ... Минск: БГУ, 1999 | 2 | 1999 |
| Области скопления дефектов, определяющие рекомбинацию неравновесных носителей заряда в германии, облученном протонами с энергией 600 МэВ ВЕ Гусаков, ЮМ Покотило, ВЮ Явид Физика и техника полупроводников 16 (9), 1723-1723, 1982 | 2 | 1982 |
| Model of recombination of minority charge carriers in n-type germanium irradiated with 660 MeV protons YM Pokotilo, VD Tkachev, VI Urenev, VY Yavid Fiz. Tekh. Poluprovodn.;(USSR) 13 (9), 1979 | 2 | 1979 |
